THIN-FILM

(Cleaning Maintenance)

THIN-FILM 이란?

반도체는 층층이 절연막과 금속막층으로 구분되어야 한다. 금속막층은 회로 연결, 절연막은 내부와 금속막층을 전기적으로 분리하거나 오염으로부터 차단시켜준다. 그래서 부도체인 웨이퍼가 반도체 성질을 가지게 된다.

그 층들을 박막이라고 하며, 이걸 쌓는 공정을 ‘증착’이라고 한다. 증착법은 물리적 기상증착방법(PVD, Physical Vapor Deposition)과 화학적 기상증착방법(CVD, Chemical Vapor Deposition)으로 나뉜다.

이때 증착 공정과 동시에 전기적 성질을 가지게 하려면 불순물인 이온을 주입해야 한다. 붕소, 인 같은 불순물을 미세한 가스입자로 만들어 원하는 깊이만큼 웨이퍼 전면에 넣어 전도성을 갖게 해 준다.

박막을 쌓기 위해선 산화 포토공정 식각 세정 증착 과정을 반복하며 쌓아줘야 한다.

산화 > 포토 > 식각 > 세정과 연마 > 이온주입 > 박막 증착 > 세정과 연마

증착 (CVD : Chemical Vapor Deposition) “웨이퍼에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 것”
증착 (THIN FILM) : 산화막 / 알루미늄 증착 (두께 : 100nm, 머리카락의 1천분의 1의 해당하는 두께)

Chamber 안을 일정한 온도로 유지 시킨 후 특정한 가스를 넣어 화학 반응을 일으켜 WAFER 위에 원하는 재질의 막을 입히는 공정

화학용품(Chemical)을 웨이퍼위에 눈을 내리듯 살포하여 박막을 증착(Deposition) 시키는 공정으로 박막의 균일성이 높고 대면적 적용이 우월하며, 미세한 패턴을 형상하기가 쉽다.

Chamber(용기)에서 Gas 화학 반응 후 증착 된 Powder를 정기적으로 Cleaning 작업 진행
Vacuum(진공)을 유지 하기 위해 Part 밀착 부위에 O-ring (고무 패킹)을 사용하는데 Plasma 및 화학 반응으로 인하여 고무 재질의 O-ring의 식각 현상 발생 정기적으로 교체 작업 진행
Chamber 내부에 절연, Vacuum 조정, Powder 증착 현상을 억제하기 위해 사용되는 Ceramic Part를 교체
장비 가동에 필요한 부품 일체 교체 작업
작업 내용 기록, Part 이력 관리, 작업 주기 관리
Line(작업장) 정리정돈
교육 자료, 불합리 적출, 아차 사고 적출