DIFF

웨이퍼에 특정 불순물을 주입하여 반도체 소자 형성을 위한 특정 영역을 만드는 것입니다. 식각 과정을 거친 회로 패턴의 특정 부분에 이온 형태의 불순물을 주입하여 전자 소자의 영역을 만들어 주고, Gas간 화학 반응을 통해 형성된 물질을 웨이퍼 표면에 증착함으로써 여러가지 막을 형성하는 공정을 말합니다.

확산 공정은 먼저 실리콘 막에 얇은 불순물을 도핑 하는 것으로부터 시작합니다. 이때 도핑되는 방법에 따라 치환형 (Substitutional impurity atoms) 또는 침입형 (Interstitial impurity atoms) 두 가지 유형으로 나뉘는데요, 위 그림과 같이 말 그대로 실리콘 결정에 불순물이 “치환”해서 들어가느냐 또는 “침입”해서 들어가느냐 에 따라 나뉘는 것입니다. 

모든 물질에는 그 물질의 고유한 패턴인 ‘격자’라는 것이 존재합니다. 즉 Si 격자 라고 하면 실리콘 입자들이 어떤 모습으로 분포해 있는지를 나타내는 말이지요. 격자라는 것이 이론적으로는 일정한 간격으로 표현되지만 실제 Si 격자는 몇몇 입자의 displacing (있어야 할 자리에 있지 않은 현상) 때문에 Vacancy 가 생길 수 밖에 없습니다. 이러한 Vacancy 에 치환형 입자가 들어가게 된다면 실리콘과는 조금 다른 물리적 전기적 특성을 띠게 되겠죠? 침입형 입자 또한 마찬가지 입니다. 이러한 침입형 또는 치환형 입자에는 붕소(Boron), 인(Phosphorus), 비소(Arsenic), 안티몬(Antimony) 등 이 있습니다.